西澤潤一

西澤 潤一(にしざわ じゅんいち、1926年9月12日 - 2018年10月21日)は、日本工学者

西澤 潤一
生誕 (1926-09-12) 1926年9月12日
大日本帝国宮城県仙台市
死没 (2018-10-21) 2018年10月21日(92歳没)
日本宮城県仙台市
国籍 日本
研究分野 電子工学通信工学
研究機関 上智大学特任教授
出身校 東北大学
主な業績 半導体デバイス、半導体プロセス、光通信の開発
主な受賞歴 日本学士院賞(1974年)
エジソンメダル(2000年)
子供 西澤泰二
プロジェクト:人物伝

専門は電子工学通信工学で、半導体デバイス、半導体プロセス、光通信の開発で独創的な業績を挙げた。半導体関連の特許保有件数は世界最多である[1]

東北大学名誉教授日本学士院会員

東北大学総長、岩手県立大学学長首都大学東京学長、上智大学特任教授を歴任。

来歴

  • 宮城県仙台市出身。西澤恭助東北帝国大学教授)の第二子、長男として生まれる。西澤泰二(東北大学名誉教授)は弟。
  • 1945年4月、内申書だけで東北帝国大学工学部電気工学科に入学した。西澤の本心は理学部へ行って原子核の研究か数学基礎論を希望していたが、父親から許されなかった。[2]父恭助は1995年に103歳で亡くなるまで西澤を子供扱いし、言う事は絶対だったという。
  • 卒業研究で研究室を選ぶ時、父親の恭助(工学部化学工学科教授)から電気工学科教授の抜山平一に相談がなされた。抜山は渡辺寧の研究室を推薦し、西澤はそれに従った。この事が西澤が半導体固体素子の研究の道に進むきっかけとなった。[3]
  • 渡辺寧に師事。渡辺は当時国内の電子工学研究の指導的立場にあり、米軍関係者との接触により米国での半導体研究の情報、ベル研究所での点接触型トランジスタの発明(1947年)の報を国内でいち早く入手する事ができた。西澤が研究者としての歩みを始めた時期は、ちょうど渡辺が半導体の研究を開始した時期と一致する。
  • 工学部卒業後、当時存在した制度である大学院特別研究生に採用される。この時期の1950年に西澤独自のpin接合構造を考案し、半導体デバイスとしてpinダイオード、静電誘導トランジスタ、pnipトランジスタを発明する。また半導体プロセスとして重要なイオン注入法も発明している。
  • 新規の学説を発表した西澤であったが、学界では定説とは異なっているとして攻撃を受けた。渡辺はこの状況に配慮し、西澤の書き上げた論文を渡辺が預かり対外発表を控える時期がしばらく続いた。
  • 大学院特別研究生を修了後、東北大学電気通信研究所に任用される。以後定年退官まで同所で研究開発と教育に従事する。
  • 西澤、渡辺らの持つpinダイオード等の特許権を元に財団法人半導体研究振興会(1961年 - 2008年)を設立。産業界からの寄付を得つつ、事業として半導体研究所を設立した(1963年)。大学の外部でも西澤が主導して研究が進められた[4]
  • 西澤の指導した学生にフラッシュメモリー発明者の舛岡富士雄MEMS研究者の江刺正喜、メモリ研究の小柳光正らがいる。西澤の研究室に所属した教員として半導体プロセスとクリーンルーム研究の大見忠弘がいる。
  • 日本学士院賞受賞に当たって直接の面識や指導を受けた事のない八木秀次の推薦を受けている。[5][6]
  • 東北大学を退官後は東北大学、岩手県立大学、首都大学東京で学長を歴任し、大学経営に従事する。
  • 2018年10月21日、仙台市で死去。92歳没[7][8]

業績

  • 半導体電子工学分野で独自の半導体から絶縁体へのホットエレクトロン注入理論を考案し、それに基づいてpn接合に絶縁体(i:insulator)層を挟んだpin構造を持つ電子デバイスであるpinダイオード、静電誘導トランジスタ、静電誘導サイリスタ等を発明する。
  • 半導体への不純物導入手法としてイオン注入法を発明。半導体の結晶成長においてエピタキシャル成長の各種手法を開発した。またこれらに使用する製造装置に関する技術でも特許を多数取得している。
  • 半導体の結晶成長技術の成果として高輝度発光ダイオード(赤色、緑色)を開発した。
  • 光通信の3要素である発光素子、伝送路、受光素子を開発する。
  • 2002年、米国電気電子学会(IEEE)は、西澤の名を冠した「ジュンイチ・ニシザワ・メダル(Jun-ichi Nishizawa Medal)」を電気事業連合会の後援によって設立し、電子デバイスとその材料科学の分野で顕著な貢献をした個人・団体を顕彰している[1]
  • 西澤の研究に近い所で、光ファイバーの研究でチャールズ・カオが2009年にノーベル物理学賞を受賞している。光ファイバーの研究史については光ファイバー #歴史を参照されたい。[9][10]

主な業績として次のものが挙げられる。

  • 半導体から絶縁体へのホットエレクトロン注入理論(1950)[11]
  • PINダイオードの開発(1950)
  • イオン注入法の開発(1950)
  • 静電誘導型トランジスタの開発(1950)[12]
  • pnipトランジスタ(1950)[13]
  • 電子なだれ電流増幅トランジスタ開発(1951)
  • 化学量論的組成制御法の開発(1951)
  • 半導体中のなだれ現象の発見(1952)
  • アバランシェフォトダイオードの開発(1952)
  • pinフォトダイオード(1953)
  • pnipドリフトトランジスタ(1954)
  • 走行時間負性抵抗トランジスタ(1954)
  • エレクトロエピタキシの発明(1954)
  • 半導体レーザーの発明(1957)(1957年 日本国特許出願)・開発
  • レーザーディスクの原理(1957)
  • 半導体インダクタンスの発明(1957)
  • タンネットダイオード(1958)
  • 可変容量ダイオード(1959)
  • フォトカプラ(1960)
  • 温度差法によるシリコンのエピタキシャル成長(1963)
  • 分子振動格子振動(フォノン)を利用したテラヘルツ波発生の提案(1963年
  • 集束型光ファイバー(GI型光ファイバー)の開発(1964)
  • FETの飽和特性解明(1968)
  • 静電誘導サイリスタの開発(1971)
  • MOSSITの提案(1971)
  • GaAs(ガリウム砒素)の蒸気圧液相成長法(1971)
  • 蒸気圧制御温度差液相成長法の発明(1972)
  • バリスティックトランジスタ(1973)
  • ストイキオメトリ制御された結晶成長法(1973)
  • 高輝度赤色発光ダイオード(GaAlAs)(1976)
  • 高輝度緑色発光ダイオード(GaP)(1976)
  • 光サイリスタ(光トリガサイリスタ)(1984)
  • 光励起エピタキシャル成長法(1984)[14]
  • 静電誘導トランジスタ-集積回路(1984)[15]
  • 光励起分子層エピタキシャル成長法(PMLE)(1984)[16]
  • 両面ゲート静電誘導サイリスタ[17]
  • GaAs完全結晶成長法[18]
  • テラヘルツ波による癌診断、がん治療の提案(2000年

受賞歴

栄典・顕彰

略歴

学歴
職歴
学外における業歴

人物

  • 小学校入学前のエピソードとして、「1+1はなぜ、2になるのだろう?」というようなことをいつも考えていた。例えば「りんご1個とみかん1個を足すと何個になるでしょう?」といった問題があるときに、普通の考えでは当然答えは2個となる。しかし西澤はこれを本当に2個と言えるのかと疑った。なぜなら、りんごとみかんはあくまで別の物体であり、一緒にする(足す)ことはできないと考えたからであった。[33]
  • 小学生の頃から絵画を描くのが趣味で、仙台第二中学校(旧制)で絵画部に入部している[34]。後年14歳~24歳の間に121枚の水彩画やペン画等を残していることが発見されているが、それ以後は研究に忙しく自ら筆を執る事は叶わなかった[35]
  • クロード・モネの愛好家でもある。1971年に、パリのマルモッタン美術館を訪れたところ、水面に空が映っている睡蓮の絵が上下逆さまに展示されていたことに気付き、翌年もそのままだったため、その旨を指摘し『ル・モンド』紙に取り上げられたことがある。
  • 西澤は著書、講演等において「独創」を説いた。独創とは他者に追従することではなく、自ら未開の境地を開拓することである。半導体研究の初期に文献にあった黄鉄鉱による固体増幅素子(トランジスタ)の実験に失敗し[36]、明るい発光ダイオードの実現は不可能との定説を覆して高輝度赤色発光ダイオードを開発し[37]、ガラス(誘電体)中に光波を通す光通信を提唱して学界の権威に論難された西澤らしい哲学である。
  • 西澤は特許を多数出願しているが、弁理士に依頼せず自ら出願書類を執筆している。光ファイバーの特許もこのため書類不備で特許庁に差し戻しされた。やっと特許出願公告が出ると、今度は異議申立を受け、拒絶査定ととなった。特許庁との裁判の係争は長期化し、期限切れの憂き目に遭っている。
  • 1970年代中期には、韓国サムスン会長のイ・ビョンチョルが、日本訪問の際に教えを求めて西澤が教授として在籍している東北大学に何度も訪れた。1990年に西澤は半導体産業を主導国家が日本から韓国に移り、中国を経てベトナムへと移行すると発言した。そのため、2018年に朝鮮日報は「一種予言のような言葉」だとしている[1]
  • 妻の竹子は早川種三の次女。種三の母方従妹の子に盛田昭夫はとこに、作曲家編曲家シンセサイザー奏者冨田勲がいる[38]

その他役職

  • 日本学術振興会21世紀COEプログラムプログラム委員会委員(2006年度)
  • 社団法人日本工学アカデミー名誉会長
  • 社団法人先端技術産業戦略推進機構会長
  • 財団法人松前国際友好財団理事
  • 財団法人斎藤報恩会理事
  • 財団法人警察協会理事
  • 財団法人東北大学研究教育振興財団理事長
  • 社団法人学術・文化・産業ネットワーク多摩理事
  • 財団法人カシオ科学振興財団理事
  • 國語問題協議會評議員
  • 社団法人日中科学技術文化センター名誉会長
  • 財団法人2007年ユニバーサル技能五輪国際大会日本組織委員会副会長
  • 財団法人尾崎行雄記念財団評議員
  • 財団法人東北開発記念財団理事
  • 日本ヒートアイランド学会最高顧問
  • 財団法人科学技術交流財団顧問
  • 財団法人全日本地域研究交流協会顧問
  • 社団法人原子燃料政策研究会会長
  • 財団法人七十七ビジネス振興財団理事
  • 財団法人半導体研究振興会理事
  • 財団法人地球環境戦略研究機関顧問
  • 財団法人マツダ財団評議員
  • 特定非営利活動法人全日本自動車リサイクル事業連合名誉顧問
  • 文理シナジー学会顧問
  • 特定非営利活動法人ITSSユーザー協会会長
  • 財団法人インテリジェント・コスモス学術振興財団理事長
  • 財団法人世界平和研究所顧問

著書

  • 『闘う独創技術』日刊工業新聞社、1981年5月。ISBN 4526012475
  • 『愚直一徹-私の履歴書-』日本経済新聞社、1985年10月。ISBN 4532093910
  • 『独創は闘いにあり』プレジデント社、1986年2月/新潮社(新潮文庫)、1989年2月
  • 『西澤潤一の独自開発論』工業調査会、1986年3月。ISBN 4769350155
  • 『「技術大国・日本」の未来を読む』PHP研究所、1989年9月。ISBN 4569525334
  • 『私のロマンと科学』中央公論社(中公新書)、1990年3月。ISBN 4121009665
  • 『独創教育が日本を救う』PHP研究所、1991年8月。ISBN 4569532748
  • 『人類は滅亡に向かっている』潮出版社、1993年12月。ISBN 4267013438
  • 『東北の時代―もはや一極集中の時代ではない』潮出版社、1995年4月。ISBN 4267013829
  • 『教育の目的再考』岩波書店、1996年4月。ISBN 4000044303
  • 『新学問のすすめ-21世紀をどう生きるか』本の森、1997年9月。ISBN 4938965011
  • 『背筋を伸ばせ日本人』PHP研究所、1999年6月。ISBN 4569606091
  • 『人類は80年で滅亡する』東洋経済新報社、2000年2月。ISBN 4492221875
  • 『教育亡国を救う』本の森、2000年8月。ISBN 4938965275
  • 『赤の発見 青の発見』白日社、2001年5月。ISBN 4891731028
  • 『日本人よロマンを』本の森、2002年10月。ISBN 4938965453
  • 『戦略的独創開発』工業調査会、2006年4月
  • 『生み出す力』PHP研究所(PHP新書)、2010年8月
  • 『わたしが探究について語るなら』ポプラ社、2010年12月。ISBN 9784591121429

特許

脚注

  1. 【コラム】金正恩委員長の言動に見る「韓国が失ってしまったもの」Chosun Online | 朝鮮日報 (日本語). www.chosunonline.com. 2018年10月14日閲覧。
  2. 中島信吾(著)「独創は闘いにあり 西澤潤一」宮城県仙台第二高等学校卒業生のページ(旧制仙台第二中学校)
  3. 西澤潤一(談)「研究のポテンシャルの維持に宮沢賢治の世界が」国立研究開発法人物質・材料研究機構 若手国際研究拠点(ICYS)機関誌 melting pot No.4 Jun. 2005 pp2-3
  4. 「半導体研東北大に寄贈 新たな研究拠点に」『河北新報』2008年3月16日付(新首都圏ネット事務局)
    • 松尾博史『電子立国日本を育てた男~八木秀次と独創者たち』 文藝春秋、1992年 ISBN 978-4163469409
  5. 西澤潤一(談)「研究のポテンシャルの維持に宮沢賢治の世界が」国立研究開発法人物質・材料研究機構 若手国際研究拠点(ICYS)機関誌 melting pot No.4 Jun. 2005 pp2-3
  6. 訃報:西澤潤一さん 92歳=光通信や半導体レーザー開発”. 毎日新聞 (2018年10月26日). 2020年11月8日閲覧。
  7. “西澤潤一さん死去 東北大元総長 ミスター半導体 92歳”. 河北新報. (2018年10月26日). https://www.kahoku.co.jp/tohokunews/201810/20181026_13065.html 2018年10月26日閲覧。
  8. 「闘う独創研究者」西澤潤一博士が逃した大魚 | IT・電機・半導体・部品 (日本語). 東洋経済オンライン (2018年10月28日). 2019年7月18日閲覧。
  9. INC, SANKEI DIGITAL (2018年10月26日). 西澤潤一氏が死去 「ミスター半導体」 元東北大総長 (日本語). 産経ニュース. 2019年7月18日閲覧。
  10. 西澤潤一講演録
  11. 西澤潤一「静電誘導トランジスタ」『サイエンス』、日経サイエンス社、1983年2月号、 30頁。
  12. 清水洋「西澤潤一教授の文化功労者顕彰をお祝して」『電気学会雑誌』 104巻 4号 1984年 p.245-246, 電気学会, doi:10.11526/ieejjournal1888.104.245
  13. 「光励起エピタキシャル成長法」独立行政法人科学技術振興機構
  14. 「SIT集積回路(静電誘導トランジスタ-集積回路)」独立行政法人科学技術振興機構
  15. 「光励起分子層エピタキシャル成長法(PMLE)」独立行政法人科学技術振興機構
  16. 「両面ゲ-トSI(静電誘導)サイリスタ」独立行政法人科学技術振興機構
  17. 「GaAs完全結晶成長法」独立行政法人科学技術振興機構
  18. 「日本からのIEEE-Level Award歴代受賞者リスト」IEEE Japan Council, December 2015, p8
  19. 朝日賞:過去の受賞者”. 朝日新聞. 2009年11月4日閲覧。
  20. 「本田賞受賞者一覧」公益財団法人 本田財団
  21. 「Frank and Laudise Prizes」The International Organization for Crystal Growth
  22. 「大川賞受賞者」公益財団法人 大川情報通信基金
  23. 「日本からのIEEE-Level Award歴代受賞者リスト」IEEE Japan Council, December 2015, p2
  24. IEEE Jun-ichi Nishizawa Medal(IEEE)
  25. 「2002年秋の叙勲 勲三等以上と在外邦人、外国人叙勲の受章者一覧」『読売新聞』2002年11月3日朝刊
  26. 東北大学電気通信研究所長歴代一覧
  27. 歴代総長 - 東北大学
  28. 大学概要 - 岩手県立大学
  29. 「第一期中期目標期間 事業報告書」首都大学東京 2012年3月 p4
  30. 「上智大学が西澤潤一氏を特任教授に迎え大学改革へ」大学プレスセンター 2009.07.31
  31. 電気系同窓会 歴代会長・副会長電気系同窓会
  32. 西澤潤一講演録
  33. 中島信吾(著)「独創は闘いにあり 西澤潤一」宮城県仙台第二高等学校卒業生のページ(旧制仙台第二中学校)
  34. 鈴木壯兵衞「20世紀のダビンチ西澤潤一先生の自然を観る広い視野に対する集中力」マイベストプロ青森 コラム、2019年11月23日更新
  35. NHK TV番組「電子立国 日本の自叙伝」西澤潤一(談)
  36. 西澤潤一(著)「わたしが探求について語るなら」ポプラ社 2010
  37. 世界日報 2001年 新春教育座談会「21世紀・日本の教育のゆくえ」(下)

関連項目


先代:
高橋正
東北大学電気通信研究所長
第9代:1983年 - 1986年
次代:
岩崎俊一
先代:
山口開生
電子情報通信学会会長
第64代:1987年 - 1988年
次代:
前田光治
先代:
岩崎俊一
東北大学電気通信研究所長
第11代:1989年 - 1990年
次代:
稲場文男
先代:
新設
岩手県立大学学長
初代:1998年 - 2005年
次代:
谷口誠
先代:
佐藤利三郎
東北大学電気系同窓会会長
第5代:1999年 - 2004年
次代:
村上浩
先代:
永野健
日本工学アカデミー会長
第5代:2002年 - 2006年
次代:
中原恒雄
先代:
新設
首都大学東京学長
初代:2005年 - 2009年
次代:
原島文雄
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