ファラド

ファラド: farad、記号:F)は、コンデンサ(キャパシタ、蓄電器)などの静電容量単位SI組立単位)である。名称はマイケル・ファラデーに由来するもので、ファラッドともいわれる。なお、同じくマイケル・ファラデーに由来するファラデーという単位があるが、これは電荷の単位である。

ファラド
farad

各種のコンデンサ
記号 F
国際単位系 (SI)
種類 組立単位
静電容量
組立 C/V
定義 1 Cの電気量を充電したときに1 Vの直流の電圧を生ずる2導体間の静電容量
語源 マイケル・ファラデー
静電容量1ファラドの電気二重層コンデンサ

定義

1ファラドは、「1クーロン(C)の電気量を充電したときに1ボルト(V)の直流電圧を生ずる2導体間の静電容量」(計量単位令による)と定義される[1][2]。言い換えると、「1ファラドは1ボルトの電位差により1クーロンの電荷を充電できる静電容量」となる[3]

静電容量・電荷・電位差の関係は線形である。コンデンサの中の電位差が半分になれば、そのコンデンサで充電される電荷の量も半分になる。

SI基本単位で組み立てると、

F = C/V = m2·kg1·s4·A2

となる[4]

他の組立単位では、以下のように表せる。

ここで、Fはファラド、Aはアンペア、Vはボルト、Cはクーロン、Jはジュール、mはメートル、Nはニュートン、sは、Wはワット、kgはキログラム、Ωはオーム、Hはヘンリーである。

使用される範囲

ファラド (F) の倍量・分量単位
分量 倍量
記号 名称 記号 名称
10−1 F dF デシファラド 101 F daF デカファラド
10−2 F cF センチファラド 102 F hF ヘクトファラド
10−3 F mF ミリファラド 103 F kF キロファラド
10−6 F µF マイクロファラド 106 F MF メガファラド
10−9 F nF ナノファラド 109 F GF ギガファラド
10−12 F pF ピコファラド 1012 F TF テラファラド
10−15 F fF フェムトファラド 1015 F PF ペタファラド
10−18 F aF アトファラド 1018 F EF エクサファラド
10−21 F zF ゼプトファラド 1021 F ZF ゼタファラド
10−24 F yF ヨクトファラド 1024 F YF ヨタファラド
よく使われる単位を太字で示す

ほとんどの用途において、ファラドは静電容量の単位としては大きすぎる。電子回路などに受動素子として用いられる一般的なコンデンサの静電容量を示すためには、ピコ(p)やマイクロ(µ)といったSI接頭辞をつけた小さな単位がよく用いられる。

  • 1 mF(ミリファラド、10−3ファラド)
  • 1 µF(マイクロファラド、10−6ファラド)
  • 1 nF(ナノファラド、10−9ファラド)
  • 1 pF(ピコファラド、10−12ファラド)

かつては1Fなどの非常に大きな静電容量を持つ製品は存在しなかったが(多くてもアルミ電解コンデンサの数万µF = 数十mF)、1990年代には1Fといった容量を持つ電気二重層コンデンサが使われるようになった。電気二重層コンデンサは2010年代には数Fの素子や、用途によっては1kFといった巨大な容量を持つものも存在するようになった[5]。ただし、このような大容量の素子は、電子回路における受動素子としてではなく、もっぱら二次電池の代用としてバックアップ電源(小は機器内のメモリー内容のバックアップから大は無停電電源装置用)や電動フォークリフトハイブリッドカーの動力用など電力の貯蔵に使われている。

歴史

「ファラド(farad)」という言葉は元々、1861年にジョサイヤ・ラティマー・クラークチャールズ・ティルストン・ブライトが作った造語であるが、彼らはファラドを電荷の単位とすることを提案していた。1881年にパリで開かれた国際電気会議で、ファラドを静電容量の単位の名称とすることが決定した[6]

解説

コンデンサは2つの電気伝導体平板から成り、2つの伝導体は誘電体と呼ばれる絶縁層によって切り離されている。コンデンサの原型は、18世紀に開発されたライデン瓶だった。伝導体への電荷の蓄積が静電容量となる。最大耐圧数ボルトから数キロボルトまで、静電容量がフェムトファラドからファラドまでにわたる、電気・電子工学で使われる非常に広い範囲の需要に応じるために、コンデンサは様々な製造法と材料によって製造される。

コンデンサの値は、通常ファラド(F)、マイクロファラド(µF)、ナノファラド(nF)、ピコファラド(pF)で指定される[7]。ミリファラド(mF)はまれにしか使われない(例えば、4.7 mF(0.0047 F)の静電容量は、4700 µFと書かれる)[8]。市販のコンデンサの容量は、0.1 pFのあたりから5000 F(5 kF)の電気二重層コンデンサ(スーパー・キャパシタ)まである。高性能集積回路(IC)の寄生容量はフェムトファラド(1 fF = 0.001 pF = 1015 F)の単位で計測される。高性能の試験装置は、10アトファラド(1 aF = 10−18 F)のオーダーで静電容量の変化を検出できる[9]

0.1 pFは、電気・電子工学の設計で一般的に使われる最も小さい値である。それより小さい値は、他の構成要素や配線、プリント配線に乗る寄生容量に支配されてしまう。1 pF以下の静電容量値は、短い2本の絶縁ワイヤをよることによって得ることができる[10][11]

地球の電離層と地面との間の静電容量は、約1 Fである[12]

組立単位

ファラド毎メートル

誘電率の単位はファラド毎メートル(F/m)であり、

F/m = m3·kg1·s4·A2

となる。

毎ファラド・ダラフ

静電容量の逆数をエラスタンス: electrical elastance)という。その単位は、ファラドの逆数であるため毎ファラド (F1)となるが、farad を逆さまにしてダラフ: daraf)とも呼ぶ[13]。毎ファラドは、

F1 =m2·kg1·s4·A2

となる。

CGS単位

アブファラド(abfarad、abF)は、CGS電磁単位系の静電容量の単位である。109ファラドに等しい[14]

スタットファラド(statfarad、statF)はCGS静電単位系の静電容量の単位である。「1スタットボルトの電位差により1スタットクーロンの電荷を充電できる静電容量」と定義される。1/(10−5c2)ファラド(ここでcはセンチメートル毎秒単位の光速度)に等しく、およそ1.1126ピコファラドである。

非公式・非推奨の名称

英語の口語では、ピコファラドは時々"puff"や"pic"と呼ばれ、"a ten-puff capacitor"のような言い方をすることがある[15]。同様に、マイクロファラドは"mic"(マイクと発音する)と呼ばれることがある。

ギリシャ文字のµが利用できない場合、"µF"を"uF"と書くことがしばしばある。古い文献では、ピコファラドを二重接頭辞を使って「マイクロマイクロファラド」(µµF)と表現している。1960年以前には、"mF"や"MFD"はミリファラドではなくマイクロファラドを意味することが多かった。同様に、マイクロマイクロファラドは"mmF"とも表記された。

符号位置

記号UnicodeJIS X 0213文字参照名称
U+3332-㌲
㌲
ファラッド
U+338A-㎊
㎊
ピコファラド
U+338B-㎋
㎋
ナノファラド
U+338C-㎌
㎌
マイクロファラド

Unicodeには、CJK互換用文字として以下の文字が収録されている。

  • U+3332 square huaraddo
  • U+338A square pf
  • U+338B square nf
  • U+338C square mu f

これらは、既存の文字コードに対する後方互換性のために収録されているものであり、使用は推奨されない[16][17]

関連項目

出典

  1. 計量単位令(平成四年政令第三百五十七号)別表第1(第2条関係)38(静電容量)”. e-Gov法令検索 (基準日). 2019年12月30日閲覧。 “2017年4月1日時点での施行分”
  2. The International System of Units (SI) (8th ed.). Bureau International des Poids et Mesures (International Committee for Weights and Measures). (2006). p. 144. http://www.bipm.org/utils/common/pdf/si_brochure_8_en.pdf
  3. Peter M B Walker, ed (1995). Dictionary of Science and Technology. Larousse. ISBN 0752300105
  4. 国際文書 国際単位系 (SI) 第 8 版日本語版 (2006) (PDF) p. 29。
  5. Electronic Components High Quality CAPACITORS (PDF)”. エルナー株式会社. 2015年8月22日閲覧。
  6. Tunbridge, Paul (1992). Lord Kelvin : his influence on electrical measurements and units. London: Peregrinus. pp. 26, 39-40. ISBN 9780863412370. https://books.google.co.uk/books?id=bZUK624LZBMC 2015年5月5日閲覧。
  7. Braga, Newton C. (2002). Robotics, Mechatronics, and Artificial Intelligence. Newnes. p. 21. ISBN 0-7506-7389-3. http://books.google.com/books?id=yqb-f-HKem0C&pg=PA21&q=microfarad+common+measurement 2008年9月17日閲覧. "Common measurement units are the microfarad (µF), representing 0.000,001 F; the nanofarad (nF), representing 0.000,000,001 F; and the picofarad (pF), representing 0.000,000,000,001 F."
  8. Platt, Charles (2009). Make: Electronics: Learning Through Discovery. O'Reilly Media. p. 61. ISBN 9781449388799. http://books.google.com/books?id=PQzYdC3BtQkC&pg=PA61&dq=nanofarad 2014年7月22日閲覧. "Nanofarads are also used, more often in Europe than in the United States."
  9. Gregorian, Roubik (1976). Analog MOS Integrated Circuits for Signal Processing. John Wiley & Sons. p. 78
  10. Pease, Bob (1993年9月2日). What's All This Femtoampere Stuff, Anyhow?”. Electronic Design. 2013年3月9日閲覧。
  11. Pease, Bob (2006年12月1日). What's All This Best Stuff, Anyhow?”. Electronic Design. 2013年3月9日閲覧。
  12. Williams, L. L. (1999年1月). Electrical Properties of the Fair-Weather Atmosphere and the Possibility of Observable Discharge on Moving Objects”. 2012年8月13日閲覧。
  13. Daraf”. Webster's Online Dictionary. 2011年10月4日時点のオリジナルよりアーカイブ。2009年6月19日閲覧。
  14. Graf, Rudolf F. (1999). Modern Dictionary of Electronics. Newnes. p. 1. ISBN 9780080511986. https://books.google.com/books?id=AYEKAQAAQBAJ 2016年4月15日閲覧。
  15. Puff”. Wolfram Research. 2009年6月9日閲覧。
  16. CJK Compatibility (2015年). 2016年2月21日閲覧。
  17. The Unicode Standard, Version 8.0.0”. Mountain View, CA: The Unicode Consortium (2015年). 2016年2月21日閲覧。

外部リンク

国際単位系(SI)の電磁気の単位
名称 記号 次元 組立 物理量
アンペアSI基本単位 A I A 電流
クーロン C T I A·s 電荷(電気量)
ボルト V L2 T3 M I1 J/C = kg·m2·s3·A1 電圧電位
オーム Ω L2 T3 M I2 V/A = kg·m2·s3·A2 電気抵抗インピーダンスリアクタンス
オーム・メートル Ω·m L3 T3 M I2 kg·m3·s3·A2 電気抵抗率
ワット W L2 T3 M V·A = kg·m2·s3 電力放射束
ファラド F L2 T4 M1 I2 C/V = kg1·m2·A2·s4 静電容量
ファラド毎メートル F/m L3 T4 I2 M1 kg1·m3·A2·s4 誘電率
毎ファラド(ダラフ) F1 L2 T4 M I2 kg1·m2·A2·s4 エラスタンス
ボルト毎メートル V/m L T3 M I1 kg·m·s3·A1 電場(電界)の強さ
クーロン毎平方メートル C/m2 L2 T I C/m2= m2·A·s 電束密度
ジーメンス S L2 T3 M1 I2 Ω1 = kg1·m2·s3·A2 コンダクタンスアドミタンスサセプタンス
ジーメンス毎メートル S/m L3 T3 M1 I2 kg1·m3·s3·A2 電気伝導率(電気伝導度・導電率)
ウェーバ Wb L2 T2 M I1 V·s = kg·m2·s2·A1 磁束
テスラ T T2 M I1 Wb/m2 = kg·s2·A1 磁束密度
アンペア回数 A I A 起磁力
アンペア毎メートル A/m L1 I m1·A 磁場(磁界)の強さ
アンペアウェーバ A/Wb L2 T2 M1 I2 kg1·m2·s2·A2 磁気抵抗(リラクタンス、: reluctance
ヘンリー H L2 T2 M I2 Wb/A = V·s/A = kg·m2·s2·A2 インダクタンスパーミアンス
ヘンリー毎メートル H/m L T2 M I2 kg·m·s2·A2 透磁率
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